Research and
Development

研究開発プロジェクト

LSTCでは現在、最先端半導体にかかわる
下記2つのプロジェクトを推進しています。

PROJECT 01

NEDOプロジェクト

ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発(委託)/
Beyond2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発

2nm世代よりもさらに高性能な半導体(Beyond2nm)実現に向けた革新的技術として、
2nmBeyond向けデバイス・材料・プロセス要素技術および短TAT・クリーンプロセス装置技術を開発する。
当該技術の開発により、半導体の高性能化のみならず、長期化する半導体製造期間の短縮および早期な製品の
市場投入を可能とし、我が国の半導体製造の競争力強化および半導体市場シェア挽回に大きく寄与する。
半導体の更なる進化によるAI性能の飛躍的な向上と、短TAT化で、より多くの社会的ニーズへの対応を可能にし、
社会課題解決とDX化推進に貢献する。

参考:NEDOウェブサイト

PROJECT 02

NEDOプロジェクト

ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発(委託)/
2nm世代半導体技術によるエッジAIアクセラレータの開発

2nm以細を狙う次世代半導体設計技術として、生成AIを含むエッジ推論処理用途に専用化したエッジAIアクセラレータの開発を国際連携により進める。
具体的には下記を行う。
(1)業界標準に対応したAIアクセラレータ向け統合アーキテクチャの開発
(2)2nm技術によるアクセラレータチップの開発
(3)2nm技術を用いエッジAIに最適化されたCPUチップの開発
(4)業界標準のAIフレームワークを利用可能なソフトウェア開発基盤の構築を行う。

参考:NEDOウェブサイト

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